关键技术实现国产化，中国自助研发的国产中子探测器研制成功

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　　兵器情报装备网10月22日报，近日，中国散裂中子源（CSNS）探测器团队利用自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置，成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品。

　　单片面积达到1500mm×500mm，薄膜厚度1微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于±1.32%，是目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。

　　当中子注量率很小时，用电离室测量很小的电离电流就会很困难，由于此种情况下，γ射线及残余放射性的干扰就变得更为显著。计数管所发出的是不连续的脉冲。要求计数管对每一电离事件都输出一个电流脉冲，它们可以被放大，而且可用适当的计数率计来测量它们的计数率。

　　因为信号是脉冲，所以“室”的绝缘问题就不是关键性的了，通常要求10Ω以上。脉冲高度主要取决于计数管所使用系统的电容和电阻。对于计数管的内部结构，要使电容为最小，并使电极间的距离，对电离事件的射程来说，是最佳的。为了要区别开不想要的电离事件，比较简单的方法是采用脉冲高度甄别。

　　经过多年技术攻关和工艺试制，团队攻克了溅射靶材制作、过渡层选择、基材表面处理等对镀膜质量影响大的关键技术，利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。

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　　中子探测器是利用中子与硼或铀相互作用后产生的带电粒子使气体电离或经中子照射作用后材料本身的活化来探测中子的器件。中子探测器广泛用于反应堆核功率测量或堆芯中子注量率分布测量。

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